福建省福芯电子科技有限公司 main business:半导体芯片、电子芯片的研发；电子产品、电子计算机及软件批发、代购代销；电子集成电路设计、软件设计及技术服务；对外贸易。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 9135000031073793XC
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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2014-08-13
- 黄舒
- 3000万人民币
- 2014-08-13 至 永久
- 福建省工商行政管理局
- 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区28号楼三层（301）
- 半导体芯片、电子芯片的研发；电子产品、电子计算机及软件批发、代购代销；电子集成电路设计、软件设计及技术服务；对外贸易。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105206608B | 一种双管芯的沟渠式MOSFET加工方法 | 2016.09.28 | 本发明提供一种双管芯的沟渠式MOSFET加工方法，其中双管芯的沟渠式MOSFET包括N+衬底层，N+ |
| 2 | CN105140305B | 高压平板电容及退磁采样电路 | 2016.09.28 | 本发明提供高压平板电容及退磁采样电路，其中高压平板电容包括上极板和下极板，所述上极板置于下极板上方， |
| 3 | CN105206606B | 双管芯的沟槽式MOSFET及其加工方法 | 2016.08.17 | 本发明提供双管芯的沟槽式MOSFET及其加工方法，其中双管芯的沟槽式MOSFET包括N+衬底层，N+ |
| 4 | CN105529272A | 一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件 | 2016.04.27 | 本发明提供一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件，其中方法包括如下步骤：在N型衬底上生长一 |
| 5 | CN105206608A | 一种双管芯的Trench MOSFET及其加工方法 | 2015.12.30 | 本发明提供一种双管芯的Trench MOSFET及其加工方法，其中双管芯的Trench MOSFET |
| 6 | CN105206606A | 双管芯的Trench MOSFET及其加工方法 | 2015.12.30 | 本发明提供双管芯的Trench MOSFET及其加工方法，其中双管芯的Trench MOSFET包括 |
| 7 | CN105140305A | 高性能高压平板电容及退磁采样电路 | 2015.12.09 | 本发明提供高性能高压平板电容及退磁采样电路，其中高性能高压平板电容包括上极板和下极板，所述上极板置于 |
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